Устройство серии Redmi K50 с процессором Snapdragon 8 Gen 1 и быстрой зарядкой мощностью 120 Вт замечено в Geekbench, TENAA и 3C

После запуска устройств серии Xiaomi 12 китайская технологическая компания готовится к выпуску серии Redmi K50. Ранее на этой неделе Лу Вейбинг, генеральный директор Redmi, поделился первым тизером грядущей серии Redmi K50. В новой разработке телефон серии Redmi K50 с номером модели 21121210C был замечен на сертификационных сайтах Geekbench, 3C и TENAA. Телефон будет предлагать SoC Snapdragon 8 Gen 1 и зарядку 120 Вт, так что это может быть Redmi K50 Pro.

Redmi 21121210C может стать Redmi K50 Pro!

Redmi 21121210C набрал 1226 баллов в одноядерном раунде теста Geekbench 5. Тогда как оценка в многоядерном тесте составила 3726 баллов. Список Geekbench также показывает, что телефон будет оснащен восьмиядерным процессором с конфигурацией ядер 1 + 3 + 4, пиковой тактовой частотой 3,0 ГГц и кодовым названием таро. Это подтверждает, что грядущий Redmi 21121210C будет оснащен процессором Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1.

Redmi 21121210C также появился на веб-сайте сертификации 3C, сообщив о наличии быстрой зарядки мощностью 120 Вт. Список Geekbench также подтверждает, что телефон будет иметь 12 ГБ ОЗУ и предустановленную ОС Android 12. Основываясь на процессоре и возможностях зарядки, мы можем предположить, что Redmi 21121210C — это Redmi K50 Pro.

Для тех, кто не знает, в прошлом году Redmi K40 Pro и Redmi K40 Pro+ были единственными устройствами серии K40, оснащенными флагманским процессором Qualcomm Snapdragon 888. До этого Redmi K30 Pro и Redmi K30 Pro Zoom были только телефонами серии K30, оснащенными процессором Qualcomm Snapdragon 865.

Ранее на этой неделе Redmi подтвердил через тизер, что скоро будет выпущен телефон с аккумулятором емкостью 4700 мАч и быстрой зарядкой 120 Вт. Итак, Redmi K50 Pro может получить аккумулятор емкостью 4700 мАч. Ожидается, что Xiaomi выпустит несколько устройств серии Redmi K50. В ближайшие дни мы должны узнать больше о грядущих устройствах серии Redmi K50.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *